by251 ... by255, by1600 ... BY2000 by251 ... by255, by1600 ... BY2000 silicon rectifier diodes C silizium-gleichrichterdioden version 2011-03-04 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 3 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 200...2000 v plastic case kunststoffgeh?use ~ do-201 weight approx. gewicht ca. 0.8 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] by251 200 200 by252 400 400 by253 600 600 by254 800 800 by255 1300 1300 by1600 1600 1600 by1800 1800 1800 BY2000 2000 2000 higher voltages see h?here spannungen siehe by4...by16 4000...16000 4000...16000 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 50c i fav 3 a 1 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 20 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 100/110 a rating for fusing, grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 50 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+175c 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand von geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 t y p e ? 1.2 0.05 ? 4.5 6 2 . 5 0 . 5 7 . 5 0 . 1 +0.1 - 0.3
by251 ... by255, by1600 ... BY2000 characteristics kennwerte forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c i f = 3 a v f < 1.1 v leakage current C sperrstrom t j = 25c v r = v rrm i r < 20 a thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 25 k/w 1 ) thermal resistance junction to leads w?rme widerstand sperrschicht C anschlussdraht r thl < 10 k/w 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand von geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag rated forward current versus ambient temperature zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. i fav [%] 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 peak forward surge current versus number of cycles at 50 hz durchla?-spitzenstrom in abh. von der zahl der halbwellen bei 50 hz 10 10 1 2 [a] ? f 1 10 10 [n] 10 2 3 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 125c j 100a-(3a-1.1v)
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